1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的上表面沉积第一金属层；在所述第一金属层的上表面沉积阻变功能层；在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁移率的材料层；在所述具有低迁移率的材料层上制备一个以上通孔；所述通孔为圆台状，且所述圆台状通孔的上底面直径小于所述圆台状通孔的下底面直径；所述在所述具有低迁移率的材料层上制备一个以上通孔包括：在所述具有低迁移率的材料层的上表面滴加液体腐蚀剂；采用金属探针对所述液体腐蚀剂施加向下的力，在所述具有低迁移率的材料层上形成所述通孔；去除所述液体腐蚀剂；对所述具有低迁移率的材料层的上表面进行清洗；对所述具有低迁移率的材料层的上表面进行烘干；在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积第二金属层；所述在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积第二金属层包括：通过磁控溅射、离子束溅射或者电子束蒸发在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积所述第二金属层。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的上表面沉积第一金属层包括：通过磁控溅射、离子束溅射或者电子束蒸发在所述衬底的上表面沉积所述第一金属层。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述第一金属层为铂材料层或者金材料层，所述第一金属层的厚度为50纳米至100纳米。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的上表面沉积阻变功能层包括：通过原子层沉积法、磁控溅射或者离子束溅射在所述第一金属层的上表面沉积所述阻变功能层。
5.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述阻变功能层为氧化钽材料层、二氧化铪材料层、二氧化钛材料层、氧化镍材料层或者二氧化锆材料层，所述阻变功能层的厚度为5纳米至20纳米。
6.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁移率的材料层包括：通过原子层沉积法、磁控溅射或者离子束溅射在所述阻变功能层的上表面沉积所述具有低迁移率的材料层。
7.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述具有低迁移率的材料层为氮化硼材料层、有机半导体材料层或者氮化硅材料层，所述具有低迁移率的材料层的厚度为5纳米至10纳米。
8.根据权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述第二金属层为铜材料层或者银材料层，所述第二金属层的厚度为50纳米至100纳米。
