一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器

本发明公开了一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器，该制备方法包括：对铜下电极构图化合处理生成化合物缓冲层，所述化合物缓冲层能够阻止所述铜下电极被氧化；在所述化合物缓冲层上沉积固态电解液材料；在所述固态电解液材料上沉积上电极形成存储器。在上述技术方案中，通过在铜下电极与固态电解液材料之间插入能够阻止铜下电极被氧化的化合物缓冲层，以有效避免固态电解液材料生长时对铜下电极的氧化，使电极界面不会因为氧化而变粗糙，从而解决现有技术中Cu基阻变存储器因电极界面粗糙导致的器件可靠性和良率较低的技术问题，进而提高器件的可靠性和良率。