集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法

本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成第一层金属布线沟槽，露出钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光一步形成存储单元及第一层金属布线。本发明方法工艺简便，在标准工艺的基础上不需要额外增加光照步骤，成本低，效果好。