1.一种基于1T1R结构的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括：基于所述1T1R结构形成的MOSFET结构底座和生长在所述MOSFET结构底座上的RRAM结构，所述RRAM结构的底电极设置在所述MOSFET结构底座上，并与所述MOSFET结构底座的漏极电连接，设置在所述RRAM结构的底电极上的所述RRAM结构的阻变层与所述MOSFET结构底座的漏极之间间隔有所述底电极，且所述阻变层与所述漏极相对于所述底电极错位对应；其中，所述底电极错位对应满足：RRAM结构的阻变层形成于RRAM结构的底电极第一端的上表面，MOSFET结构底座的漏极形成于RRAM结构的底电极第二端的下表面之下。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述RRAM结构的底电极的第一端与所述RRAM结构的阻变层相接触，所述RRAM结构的底电极的第二端与所述MOSFET结构的漏极之间通过设置的至少一个第一过孔建立电连接，用于形成所述阻变层与所述漏极相对于所述底电极的错位对应。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述RRAM结构的阻变层上设置与所述阻变层对应的顶电极，在所述顶电极和所述RRAM结构表面之间设置至少一个第二过孔，在所述第二过孔对应的RRAM结构表面设置第一金属线，所述第一金属线和所述顶电极通过所述第二过孔建立电连接。
4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述MOSFET结构底座表面还包括第二金属线，所述第二金属线和所述MOSFET结构的栅极之间设置至少一个第三过孔，用于在所述第二金属线和所述MOSFET结构的栅极之间建立电连接；所述MOSFET结构底座表面还包括第三金属线，所述第三金属线和所述MOSFET结构的源极之间设置至少一个第四过孔，用于在所述第三金属线和所述MOSFET结构的源极之间建立电连接。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的忆阻器，其特征在于，过孔内部包括至少具有导电特性的填充材料，所述填充材料至少包括钨、金、银、铂、铜及其相应的合金材料。
6.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述MOSFET结构面积尺寸包括宽度6μm×长度1μm；所述RRAM结构的底电极面积尺寸中宽度/长度取值范围包括7nm-10μm。
7.根据权利要求2所述的忆阻器，其特征在于，所述阻变层的面积尺寸中宽度/长度取值范围包括7nm-5μm；所述阻变层的材料选择包括至少具备阻变特性的材料，包括：氧化铪/氧化钽、氧化铝/氧化铪。
8.根据权利要求3所述的忆阻器，其特征在于，所述顶电极的面积尺寸中宽度/长度取值范围包括7nm-3μm，所述顶电极/底电极的材料选择包括氮化钛、铂、铝、钛、金、钨。
9.一种应用于制备权利要求1-8任一项所述的基于1T1R结构的忆阻器的制备方法，其特征在于，基于所述1T1R结构形成MOSFET结构底座，并在所述MOSFET结构底座上形成RRAM结构的底电极，在所述底电极上形成RRAM结构的阻变层，使得所述阻变层与所述MOSFET结构底座的漏极之间间隔有所述底电极，且所述阻变层与所述漏极相对于所述底电极错位对应。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在所述底电极上形成RRAM结构的阻变层，使得所述阻变层与所述MOSFET结构底座的漏极之间间隔所述底电极并错位对应，包括：在与所述MOSFET结构的漏极对应位置形成至少一个第一过孔；在所述RRAM结构的底电极上形成所述RRAM结构的阻变层；所述RRAM结构的底电极的第二端与所述第一过孔相连接，所述RRAM结构的底电极的第一端与所述阻变层相连接，用于形成所述RRAM结构的阻变层与所述MOSFET结构底座的漏极之间间隔所述底电极并错位对应。
11.一种根据权利要求1-8任一项所述的基于1T1R结构的忆阻器的 集成结构，其特征在于，所述结构包括：至少两个相邻所述忆阻器，第n个忆阻器的MOSFET底座表面、对应第四过孔上设置有底层金属线，对应所述底层金属线的上方、所述第n个忆阻器的表面上设置有与其相邻的第n+1忆阻器的RRAM结构的第一金属线。
