一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法

本发明涉及一种基于TiO结构的忆阻器及其制备方法。所述基于TiO的忆阻器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极之间设有TiO存储介质层。本发明解决了现有忆阻器制作成本高的问题，同时该忆阻器的制作工艺简单，与传统CMOS工艺兼容性好。