金锐
北京智慧能源研究院
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金锐，国网智能电网研究院功率半导体研究所副所长兼芯片设计研究室主任，主要研究方向为大功率电力电子器件的研发，特别是IGBT等核心技术的突破，致力于芯片国产化。
历年科研重点
H01L29 半导体制造 半导体势垒 势垒电极 绝缘栅双极晶体管 电性能及故障测 半导体器件细节 二极管 多器件组件 场效应晶体管 特征晶体
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种快恢复二极管及其制作方法
申请日: 20220615 公开日: 20260403 申请人: 国网智能电网研究院有限公司
- 有效
功率组件和电子设备
申请日: 20260129 公开日: 20260324 申请人: 北京怀柔实验室
- 在审
测试装置以及测试方法
申请日: 20251113 公开日: 20260317 申请人: 北京智慧能源研究院
- 在审
一种功率模块封装结构及其制备方法和应用
申请日: 20251128 公开日: 20260313 申请人: 北京智慧能源研究院
- 有效
半导体结构和半导体器件
申请日: 20250314 公开日: 20260210 申请人: 北京怀柔实验室
显示 1-5 条，共 291 条
产研合作关联
与 国家电网有限公司 的合作详情
共 139 项合作记录一种绝缘栅双极晶体管
20120411CN201210105487.0
一种高压快速恢复二极管制造方法
20120803CN201210276136.6
一种IGBT芯片可变栅内阻及其设计方法
20120824CN201210305948.9
一种5块掩模版IGBT芯片及其制造方法
20120824CN201210305957.8
一种IGBT芯片背面制造方法
20121022CN201210402834.6
一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法
20121102CN201210432069.2
一种快速恢复二极管及制造方法
20121105CN201210436203.6
一种具有终端保护结构的IGBT芯片及其制造方法
20121204CN201210513798.0
一种大功率IGBT模块封装结构
20121211CN201210530554.3
一种IGBT芯片可变栅内阻
20120824CN201220425538.3
一种新型快速恢复二极管
20121105CN201220577975.7
一种具有终端保护结构的IGBT芯片
20121204CN201220657945.7
一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法
20130220CN201310054020.2
一种半导体器件测试装置及其测试方法
20130220CN201310054142.1
一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件
20130523CN201310195328.9
一种大功率压接式IGBT器件
20131014CN201310478518.1
一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法
20131030CN201310527108.1
一种全压接式功率器件
20131104CN201310538589.6
一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法
20131108CN201310553976.7
一种半导体器件多级场板终端结构
20130220CN201320078947.5
一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件
20130523CN201320287253.2
一种大功率压接式IGBT器件
20131014CN201320632802.5
一种基于N型注入层的IGBT芯片
20131030CN201320678868.8
一种全压接式功率器件
20131104CN201320689584.9
一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片
20131108CN201320705065.7
一种软快恢复二极管及其制造方法
20140306CN201410081630.6
一种IGBT芯片及其制造方法
20140318CN201410101546.6
改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法
20140922CN201410488173.2
一种快恢复二极管及其制作方法
20141126CN201410693539.X
一种平面栅IGBT及其制作方法
20141204CN201410734307.4
具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT及其制造方法
20141205CN201410737058.4
一种快恢复二极管及其制造方法
20141205CN201410742344.X
一种金属电极制造方法及其装置
20141231CN201410853925.0
一种软快恢复二极管
20140306CN201420101132.9
一种IGBT芯片
20140318CN201420123728.9
一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件
20140922CN201420547169.4
一种快恢复二极管
20141126CN201420721966.X
一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT
20141205CN201420760894.X
一种平面栅IGBT
20141204CN201420761169.4
一种快恢复二极管
20141205CN201420765448.8
一种金属电极制造装置
20141231CN201420870469.6
一种具有改善安全工作区的IGBT器件及其制造方法
20150319CN201510122358.6
一种具有空穴旁路结构的IGBT器件及其制造方法
20150319CN201510123044.8
一种适用于压接式封装的IGBT芯片制造方法
20150513CN201510240388.7
一种高压芯片钝化层的制造方法
20150513CN201510240562.8
一种具有分离式集电极的平面栅IGBT及其制作方法
20150515CN201510249973.3
一种低通态损耗IGBT及其制造方法
20150828CN201510542149.7
一种快速恢复二极管及其制造方法
20150930CN201510638966.2
一种快恢复二极管及其制作方法
20151016CN201510674227.9
一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法
20151023CN201510695743.X
一种适用于压接式封装的IGBT芯片
20150513CN201520304861.9
一种具有分离式集电极的平面栅IGBT
20150515CN201520316286.4
一种快速恢复二极管
20150930CN201520769928.6
一种快恢复二极管
20151016CN201520803453.8
一种具有局域金属寿命控制的功率器件
20151023CN201520828320.6
一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法
20160425CN201610262790.X
一种聚酰亚胺及其制备方法
20160425CN201610262796.7
一种快速恢复二极管及其制造方法
20160615CN201610424393.8
一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法
20160720CN201610574275.5
一种垂直型半导体器件的双面终端结构
20160818CN201610685489.X
一种平面终端钝化方法及半导体功率器件
20160822CN201610701963.3
一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件
20160823CN201610704091.6
一种快恢复二极管及其制备方法
20160922CN201610842716.5
一种终端钝化方法及半导体功率器件
20160922CN201610843019.1
一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法
20161102CN201610943892.8
一种双面终端结构、逆导型半导体器件及其制备方法
20161122CN201611026227.9
一种沟槽型IGBT及其制备方法
20161201CN201611086000.3
一种金属电极制备方法及平面栅型压接式IGBT
20161209CN201611125727.8
一种逆导型IGBT背面结构
20160425CN201620356265.X
一种快速恢复二极管
20160615CN201620582038.9
一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极
20160720CN201620769675.7
一种垂直型半导体器件的双面终端结构
20160818CN201620900426.7
高压半导体功率器件
20160823CN201620919433.1
一种快恢复二极管
20160922CN201621073091.2
一种终端结构、半导体器件及其制备方法
20170116CN201710029590.4
一种高可靠性绝缘栅双极晶体管及其制作方法
20170630CN201710524879.3
一种半导体功率器件及其终端结构
20170703CN201710530888.3
一种高压功率器件的终端结构的制作方法
20170707CN201710552953.2
一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置
20170719CN201710591993.8
在基板上形成绝缘沟槽的方法及半导体器件
20170808CN201710674475.2
能进行终端横向耐压测试的IGBT版图
20170914CN201710827886.0
具有软关断特性的FS型IGBT器件
20170914CN201710827889.4
具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法
20170914CN201710827906.4
沟槽型半导体功率器件及其制备方法
20170914CN201710828440.X
RC‑IGBT器件的背面加工方法
20171026CN201711012160.8
用于压接式IGBT器件正面电极加工的基片
20171026CN201711017439.5
RC-IGBT器件的背面结构制备方法
20171026CN201711017441.2
RC‑IGBT器件的背面结构制备方法
20171026CN201711017441.2
一种逆阻型IGBT的制造方法及逆阻型IGBT
20180510CN201810444236.2
一种半导体器件及其制作方法
20180702CN201810706963.1
快恢复二极管及其制备方法
20180828CN201810990583.5
半导体器件及其制备方法
20180830CN201811003587.6
一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置
20190116CN201910040864.9
功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片
20190617CN201910521437.2
一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置
20190916CN201910870940.9
一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件
20190930CN201910937911.X
一种沟槽栅型IGBT结构
20191010CN201910959594.1
一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法
20191223CN201911333532.6
一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法
20200220CN202010104556.0
一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法
20200220CN202010106956.5
一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法
20200330CN202010238731.5
一种半导体芯片的测试装置
20200417CN202010307229.5
一种半导体晶圆的检测设备
20200422CN202010322087.X
一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置
20200426CN202010340549.0
一种碳化硅衬底的处理方法
20200427CN202010345960.7
一种半导体功率器件及其制作方法
20200509CN202010386337.6
一种分区域渐变场限环终端结构及其设计方法
20200509CN202010386415.2
一种高压功率半导体器件复合终端
20200515CN202010409949.2
一种高压功率半导体器件
20200515CN202010410064.4
一种IGBT器件的背面结构及其制备方法、IGBT器件
20200624CN202010594130.8
一种功率芯片的制备方法以及功率芯片
20200806CN202010783402.9
一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法
20200930CN202011059728.3
功率半导体器件终端、终端的制备方法及功率半导体器件
20210714CN202110792613.3
一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
20211207CN202111487931.5
一种快速恢复二极管及其制备方法
20211217CN202111547921.6
一种快速恢复二极管
20211217CN202123173614.4
高压功率芯片及其制造方法、半导体器件及其制造方法
20220531CN202210610621.6
一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法
20220608CN202210646218.9
一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法
20220613CN202210664903.4
一种快恢复二极管及其制作方法
20220615CN202210680937.2
一种用于半导体芯片封装的结构
20220715CN202210839504.7
一种减少碳化硅表面损伤的离子注入方法及碳化硅器件
20221101CN202211357785.9
一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构
20221101CN202211358217.0
一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构
20221101CN202211358623.7
一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件
20221101CN202211366740.8
一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件
20221101CN202211366766.2
一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
20221221CN202211647982.4
一种SiC半导体器件的刻蚀方法
20221227CN202211687933.3
比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品
20221231CN202211734844.X
一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件
20230202CN202310120878.8
一种高压功率二极管
20230315CN202310270078.4
一种半导体器件及其制造方法
20230413CN202310395190.0
一种动态测试平台器件状态检测电路及方法
20230419CN202310423112.7
一种适用于高压功率芯片的终端结构及制造方法
20230526CN202310602819.4
一种集成混合式PiN-肖特基二极管的碳化硅MOSFET
20230831CN202311120002.X
一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法
20230925CN202311238579.0
一种适用于高压功率芯片的终端结构
20230526CN202321297019.8
一种集成混合式PiN-肖特基二极管的碳化硅MOSFET
20230831CN202322363052.2
一种绝缘栅双极晶体管
20140327CN201220151783.X
IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法
20200819CN201811379016.2
