一种快速恢复二极管及其制造方法

本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。由此实现了减小反向漏电流和减小反向恢复峰值电流之间的平衡，从而保证了二极管的反向阻断性能和反向恢复。