一种软快恢复二极管

本实用新型涉及一种软快恢复二极管。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在有源区的边界处设有P型高阻区，在有源区的中心处设有P+欧姆接触层；全局寿命控制区设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本实用新型通过采用全局加局域寿命控制，实现器件的软快恢复特性；通过增加高阻区，提高器件的抗雪崩能力。