一种IGBT芯片可变栅内阻及其设计方法

本发明一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间；所述栅内阻的大小在2-10Ω之间。本发明还涉及一种IGBT芯片可变栅内阻的设计方法，本发明提供的方案使栅内阻灵活可变，应用范围广，改善了现有技术的固定栅电阻值的缺陷。通过改变多晶电阻的拓扑，可实现多晶电阻大小的调整。仅改变一块掩模版（多晶掩模版），改变多晶的拓扑，调节栅内阻，方便的实现可变栅内阻。