一种快速恢复二极管及制造方法

本发明公开了一种快速恢复二极管及其制造方法，本发明提供的二极管包括阳极扩散P型掺杂区，均匀掺杂的本征区，阴极扩散N型区和阳极、阴极金属层。其中，阳极扩散P型掺杂区为通过掩模板进行局域注入形成的高、低浓度相间的P型掺杂区。和现有技术比，本发明提供的二极管，具有反向峰值电流I低、反向恢复时间t短和反向恢复软度高的特点。