一种5块掩模版IGBT芯片及其制造方法

本发明涉及一种5块掩模版IGBT芯片，由所述5块掩模版制造形成IGBT芯片；所述5块掩模版分别是孔掩模版、金属掩模版、钝化掩模版、有源区掩模版和多晶掩模版；所述孔掩模版、金属掩模版和钝化掩模版位于IGBT芯片互连及保护模块中；所述有源区掩模版和多晶掩模版位于与IGBT芯片互连及保护模块相反方向的模块中。本发明还涉及一种5块掩模版IGBT芯片的制造方法，本发明的方案极大降低IGBT芯片制造成本，为IGBT芯片制造指出了一条新颖的技术路线。实现容易，可行性强；与传统IGBT芯片制造方法（≥6块掩模版）相比，显著的降低成本。