一种适用于压接式封装的IGBT芯片制造方法

本发明涉及一种适用于压接式封装的IGBT芯片制造方法，包括选取硅衬底并对所述硅衬底进行预处理；在所述硅衬底表面进行场氧化层生长，并对所述场氧化层进行刻蚀；制作栅氧化层和多晶硅栅电极；制作P阱和N阱；制作Spacer、P+型掺杂区和N+型掺杂区；在所述多晶硅栅电极上方形成正面电极EM2；在所述正面电极EM2外侧形成正面电极EM1；在所述硅衬底背面形成P+集电区；制作所述背面电极C。本发明提供的技术方案对工艺精度要求低，且节省流片成本。