1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底第一表面内形成载流子存储层；在衬底第一表面形成图形化掩膜层：在所述衬底第一表面形成第一预设厚度的氮化硅层，采用光刻和刻蚀工艺对形成的氮化硅层进行图形化，露出部分第一表面；采用高温氧化工艺，在所述衬底第一表面形成场氧化层，所述场氧化层覆盖所述掩膜层露出的所述衬底第一表面且延伸至所述掩膜层与所述衬底第一表面之间；所述场氧化层包括覆盖所述掩膜层露出的所述衬底第一表面的第一子氧化层，以及延伸至所述掩膜层与所述衬底第一表面之间的第二子氧化层；其中，所述第一子氧化层的厚度大于所述第二子氧化层的厚度，所述第一子氧化层和所述第二子氧化层之间形成一倾斜面，所述第二子氧化层覆盖所述载流子存储层；去除所述掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极：去除所述掩膜层和部分第二子氧化层，露出部分载流子存储层；形成覆盖在所述第二子氧化层露出的载流子存储层上的栅氧化层；在所述场氧化层和所述栅氧化层表面形成栅电极；图形化所述栅电极和所述栅氧化层，露出部分载流子存储层；在所述栅氧化层露出的载流子存储层表面内通过自对准注入工艺形成体区和源区；在所述栅电极表面形成绝缘介质层；在所述绝缘介质层表面形成发射极；在所述衬底第二表面形成集电极。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述倾斜面和所述衬底第一表面的夹角小于15度。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底第二表面形成集电极之前，还包括：在所述衬底第二表面形成透明电极。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底第一表面形成图形化掩膜层之前，还包括：在所述衬底第二表面形成场截止层。
5.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管采用权利要求1-4任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法制备得到。
6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管采用压接封装。
