一种适用于高压功率芯片的终端结构

1.一种适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层，所述钝化层包括氧化层钝化层、氮化硅钝化层以及聚酰亚胺钝化层，所述氧化层钝化层，包括基础氧化层，氧化硅层和掺杂的厚氧化层。 2.如权利要求1所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，所述浮空场限环位于本体的第一表面和漂移区之间，所述浮空场限环围绕有源区和过渡区结构。 3.如权利要求1所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，包括在本体的第一表面和漂移区之间的具有第二导电类型的第一掺杂区和具有第一导电类型的第二掺杂区。 4.如权利要求3所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第一掺杂区和第二掺杂区为同心圆环结构。 5.如权利要求4所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第一掺杂区，包括多个场环区。 6.如权利要求5所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，每个场环区包括多个场限环，各场环区内的环宽和环间距为定值，从有源区到芯片边缘，多个场环区的环宽呈递减趋势，场限环的环间距呈递增趋势。 7.如权利要求4所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第一掺杂区包括第一主环和多个场环区。 8.如权利要求7所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第一主环与多个场环区具有相同的掺杂浓度和掺杂深度，所述掺杂深度不小于有源区以及过渡区的阱区掺杂深度。 9.如权利要求7所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，所述第一主环的环宽有最优值，其与衬底厚度以及衬底浓度和环内杂浓度相关。 10.如权利要求7所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第一主环与过渡区的阱区的距离，碳化硅器件为1～1.2um，硅器件为5～40um。 11.如权利要求4所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第一掺杂区的靠近过渡区的内环在拐角位置的曲率半径取值为3～8倍的漂移区厚度。 12.如权利要求4所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，第二掺杂区，具有第一导电类型，包围在具有第二导电类型的第一掺杂区的远离元胞区的一侧。 13.如权利要求12所述的适用于高压功率芯片的终端结构，其特征在于，氮化硅钝化层是单层材质和多层材质。