失效

一种快恢复二极管

曹功勋、刘钺杨、吴迪、何延强、董少华、金锐
南京南瑞半导体有限公司

摘要

本实用新型提供一种快恢复二极管,所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2),所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4),再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层(8),所述有源区(5)设有金属电极(9),所述有源区(5)周边设有电阻区(6),本实用新型的快恢复二极管,改善了反向恢复过程中电流的不均匀性,避免电流集边现象,缓解局部动态雪崩增强,提高了其抗动态雪崩能力。

暂无引用专利