唐新灵
北京智慧能源研究院
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唐新灵来自北京智慧能源研究院，专利172件。擅长半导体器件细节、半导体制造、电性能及故障测、晶闸管。最擅长半导体器件细节。排名在TOP1。一种大功率压接式IGBT驱动线是存续时间最长的专利。与国网智能电网研究院有限公司合作46次，与林仲康合作92次。
历年科研重点
半导体器件细节 多器件组件 半导体制造 电性能及故障测 特定数据处理 计算机辅助设计 电阻测量装置 隔绝炉 力功功率转矩测 绝缘特性 流体涂覆 晶闸管 H01L29 变换部件
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备
申请日: 20210701 公开日: 20260331 申请人: 国网智能电网研究院有限公司
- 有效
复合电极结构、石墨模具、半导体封装结构
申请日: 20240607 公开日: 20250926 申请人: 北京怀柔实验室
- 有效
电极结构和芯片
申请日: 20250514 公开日: 20250722 申请人: 北京怀柔实验室
- 有效
功率半导体器件的封装结构、制造方法及应用
申请日: 20240208 公开日: 20250708 申请人: 北京怀柔实验室
- 有效
门极换流晶闸管单元及其制备方法、半导体器件
申请日: 20240628 公开日: 20250624 申请人: 北京怀柔实验室
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产研合作关联
与 国网智能电网研究院有限公司 的合作详情
共 46 项合作记录一种凸台高度可变的压接式IGBT模块
20151218CN201510959099.2
一种改进的压接式IGBT器件
20151218CN201510959202.3
一种大功率压接式IGBT驱动线
20151218CN201510960378.0
一种压接式IGBT模块
20151218CN201510960380.8
一种新型压接式IGBT模块
20151218CN201510960380.8
一种大功率压接式IGBT器件
20151218CN201510960406.9
一种便于串联使用的大功率IGBT模块
20160425CN201610262592.3
一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
20160425CN201610262775.5
便于串联使用的大功率IGBT模块
20160425CN201620356491.8
基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
20160425CN201620356492.2
一种半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法
20170918CN201710842123.3
一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法
20170919CN201710846539.2
一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块
20171115CN201711129294.8
一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法
20171129CN201711226416.5
一种功率器件模组及其制备方法
20171211CN201711307492.9
一种功率器件封装结构及方法
20171211CN201711307593.6
一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法
20171226CN201711432765.2
一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置
20171226CN201711432950.1
一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置
20171226CN201711432966.2
一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置
20171226CN201711432967.7
一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置
20171226CN201711434609.X
烧结卡具、压接式IGBT模块单面烧结方法及制得的子模组
20171228CN201711460195.8
双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组
20171228CN201711462442.8
一种功率半导体模块
20181227CN201811607844.7
一种功率芯片预封装方法及功率芯片封装方法
20190529CN201910457774.X
功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构
20190530CN201910467610.5
一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法
20190604CN201910481319.3
一种PETT振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法
20190604CN201910481319.3
一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法
20190604CN201910481839.4
一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法
20191025CN201911025441.6
一种半导体芯片的测试装置
20200417CN202010307229.5
一种压接式功率器件静态特性测量系统
20200421CN202010315877.5
IGBT器件的测试装置、测试方法及电子设备
20200422CN202010322303.0
一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置
20200426CN202010340549.0
一种IGBT开关特性测试电路及测试方法
20200520CN202010431615.5
压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备
20200810CN202010797186.3
一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块
20210128CN202110122169.4
一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法
20210323CN202110310440.7
一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备
20210701CN202110745863.1
一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统
20211101CN202111282131.X
一种用于半导体器件的烧结设备及烧结方法
20211101CN202111285623.4
一种用于压接型功率器件的测试设备
20211207CN202111483879.6
一种功率半导体芯片封装结构
20211210CN202111503735.2
一种IGBT封装结构
20211230CN202111652104.7
一种用于半导体器件的烧结设备
20211101CN202122651393.0
压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法
20220222CN202210159329.7
一种功率半导体器件及其制备方法
20220513CN202210531661.1
一种用于半导体芯片封装的结构
20220715CN202210839504.7
