1.一种功率半导体芯片封装结构，其特征在于，包括：基板电极；位于部分所述基板电极上的功率半导体芯片，所述功率半导体芯片背离所述基板电极的一面具有栅极；位于部分所述基板电极上且位于所述功率半导体芯片侧部的衬板，所述衬板背离所述基板电极的一侧表面具有第一导电层；连接所述栅极和所述第一导电层的键合引线；位于所述第一导电层上且与所述第一导电层固定连接的第一弹性测试电极，所述第一弹性测试电极适于在垂直于所述基板电极表面的方向上弹性形变。
2.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述衬板包括由下至上依次层叠设置的第二导电层、绝缘层和第一导电层，所述第二导电层与所述基板电极接触。
3.根据权利要求2所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括铜；所述绝缘层的材料包括陶瓷。
4.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第一弹性测试电极包括弹簧探针，所述弹簧探针在垂直于所述基板电极表面的方向上具有相对的触头和焊盘，所述焊盘与所述第一导电层固定连接。
5.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述功率半导体芯片背离所述基板电极的一面还具有发射极；所述功率半导体芯片封装结构还包括：位于所述发射极上且与所述发射极电学连接的发射极测试电极；所述发射极测试电极包括：底层测试电极和位于底层测试电极上的第二弹性测试电极。
6.根据权利要求5所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第二弹性测试电极包括在垂直于所述底层测试电极表面的方向上相对设置的第一导电柱和第二导电柱、以及位于第一导电柱和第二导电柱之间的弹性件。
7.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述功率半导体芯片背离所述栅极的一面具有集电极，所述集电极与所述基板电极电学连接。
8.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，还包括：位于所述基板电极上的绝缘框架，所述绝缘框架环绕所述功率半导体芯片和衬板，所述第一弹性测试电极背离所述基板电极的一端延伸至所述绝缘框架外；封装胶层，所述封装胶层位于所述绝缘框架中且覆盖所述功率半导体芯片和衬板。
9.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述功率半导体芯片的数量为若干个，若干个功率半导体芯片围绕所述衬板设置，若干个功率半导体芯片的栅极均分别通过键合引线与所述第一导电层电学连接。
10.一种封装方法，用于形成如权利要求1至9任意一项所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，包括以下步骤：提供基板电极、功率半导体芯片、衬板和第一弹性测试电极，所述功率半导体芯片的一面具有栅极，所述衬板的一面具有第一导电层；将所述功率半导体芯片设置于部分所述基板电极上，所述栅极位于所述功率半导体芯片背离所述基板电极的一侧；将所述衬板设置于部分所述基板电极上且位于所述功率半导体芯片侧部，所述第一导电层位于所述衬板背离所述基板电极的一侧表面；采用键合引线连接所述栅极和所述第一导电层；将所述第一弹性测试电极设置于所述第一导电层上且与所述第一导电层固定连接，所述第一弹性测试电极适于在垂直于所述基板电极表面的方向上弹性形变。
11.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述功率半导体芯片背离所述基板电极的一面还具有发射极；所述封装方法还包括：提供发射极测试电极，所述发射极测试电极包括底层测试电极和第二弹性测试电极；将所述底层测试电极设置所述发射极上且与所述发射极固定连接；将所述底层测试电极设置所述发射极上之后，将所述第二弹性测试电极设置于所述底层测试电极上。
12.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，还包括：提供绝缘框架；将所述绝缘框架设置在所述基板电极上，所述绝缘框架环绕所述功率半导体芯片和衬板，所述第一弹性测试电极背离所述基板电极的一端延伸至所述绝缘框架外；将所述绝缘框架设置在所述基板电极上之后，在所述绝缘框架中形成封装胶层，所述封装胶层覆盖所述功率半导体芯片和衬板。
13.一种功率半导体芯片封装模块，其特征在于，包括若干个如权利要求1至9任意一项所述的功率半导体芯片封装结构，所述第一弹性测试电极并联连接。
