1.一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法，其特征在于，包括：根据并联多芯片子模组的外轮廓确定半导体器件的电极盖板的形状，所述电极盖板包括位于所述半导体器件下部的第一电极盖板和位于所述半导体器件上部的第二电极盖板；获取所述半导体器件的半导体器件参数，所述半导体器件参数包括：所述电极盖板的第一电极尺寸；根据所述半导体器件参数建立所述半导体器件的有限元模型，对所述有限元模型进行有限元分析，得到有限元分析结果，包括：根据多个所述第一电极尺寸建立所述半导体器件的几何模型；对所述几何模型划分映射网格，生成所述半导体器件的有限元模型；对所述有限元模型加载边界条件；对加载边界条件后的有限元模型进行有限元分析，得到所述半导体器件的多个所述第一电极尺寸对应的多个芯片最大受力偏差；根据多个所述第一电极尺寸及多个芯片最大受力偏差，建立所述第一电极尺寸和芯片最大受力偏差的关系曲线，作为所述有限元分析结果；或，根据多个所述半导体器件参数，计算多个所述半导体器件参数分别对应的累积公差，建立所述半导体器件的几何模型；对所述几何模型划分映射网格，生成所述半导体器件的有限元模型；对所述有限元模型加载边界条件；对加载边界条件后的有限元模型进行有限元分析，得到所述半导体器件的多个累积公差对应的多个芯片最大受力偏差；根据所述多个累积公差及多个芯片最大受力偏差，建立所述累积公差和芯片最大受力偏差的关系曲线，作为所述有限元分析结果；根据所述半导体器件的电极盖板的形状及有限元分析结果，确定所述半导体器件的制作参数。
2.根据权利要求1所述的压力均衡制作参数优化方法，其特征在于，对加载边界条件后的有限元模型进行有限元分析，得到所述半导体器件的多个所述第一电极尺寸对应的多个芯片最大受力偏差，包括：对加载边界条件后的各所述第一电极尺寸对应的有限元模型，执行：采集各所述芯片上表面的节点力；分别对各所述芯片上表面的节点力求和，得到各所述芯片的平均压力；根据各所述芯片的平均压力计算所述半导体器件的芯片最大受力偏差。
3.根据权利要求1所述的压力均衡制作参数优化方法，其特征在于，对加载边界条件后的有限元模型进行有限元分析，得到所述半导体器件的多个累积公差对应的多个芯片最大受力偏差，包括：对加载边界条件后的各所述累积公差对应的有限元模型，执行：采集各所述芯片上表面的节点力；分别对各所述芯片上表面的节点力求和，得到各所述芯片的平均压力；根据各所述芯片的平均压力计算所述半导体器件的芯片最大受力偏差。
4.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求1-3任一项所述的压力均衡制作参数优化方法，得到所述半导体器件的制作参数；根据所述半导体器件的制作参数，制作所述半导体器件，所述半导体器件包括：电极盖板和多个芯片子模组，所述电极盖板包括位于所述半导体器件下部的第一电极盖板和位于所述半导体器件上部的第二电极盖板。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，根据所述半导体器件的制作参数，制作所述半导体器件，包括：根据所述电极盖板的形状和有限元分析结果，制作所述半导体器件的电极盖板；根据所述有限元分析结果，将所述多个芯片子模组设置于所述第一电极盖板的多个凸台上，所述多个凸台与所述多个芯片子模组一一对应设置。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，根据所述电极盖板的形状和有限元分析结果制作所述半导体器件的电极盖板之后，根据所述有限元分析结果，将所述多个芯片子模组设置于所述第一电极盖板的多个凸台上之前，还包括：将芯片的第一电极钼片、芯片及芯片的第二电极钼片依次设置于芯片的第一电极银片上，得到所述芯片子模组；将PCB板设置于所述第一电极盖板上。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，根据所述有限元分析结果，将所述多个芯片子模组设置于所述第一电极盖板的多个凸台上之后，还包括：通过弹簧探针将各所述芯片的第三电极与所述PCB板连接；将所述第二电极盖板压接于所述多个芯片子模组上。
