1.一种压接型半导体器件的测试装置，其特征在于，包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值，每组所述接触压力值对应相同的施压面积；电压表，两端分别与所述待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测在所述多组接触压力值下的所述待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与所述待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向所述待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与所述压力传感器及所述电压表连接，用于利用所述多组接触压力值、所述多组正向压降值、所述固定电流以及所述施压面积计算得到所述待测压接型半导体器件的接触电阻值；驱动电路，所述驱动电路包括驱动电源和电阻，所述驱动电源的正极通过所述电阻与所述待测压接型半导体器件的栅极连接，用于向所述待测压接型半导体器件提供驱动电压；所述压力传感器安装在一测试夹具上，所述待测压接型半导体器件也安装在所述测试夹具上；所述测试夹具设有卡口，所述卡口设有栅极、集电极、发射极的接口；所述压力传感器安装于所述卡口承载所述待测压接型半导体器件的面的下方；通过以下公式计算所述接触电阻值：其中，R S 为所述接触电阻值，K 1 为测试参数，A为所述待测压接型半导体器件的压力接触面的面积，F为任意施加于所述待测压接型半导体器件的接触压力值；所述测试参数通过以下步骤获得：从所述多组接触压力值以及所述多组正向压降值的集合中确定出所有的参数计算组，每个所述参数计算组包括两组接触压力值及其对应的正向压降值，通过预设公式计算出 个所述测试参数初始值：其中，K为测试参数初始值，V fi 、V fj 分别为第i、第j组正向压降值，I为固定电流，A为施压面积，F i 、F j 分别为第i、第j组接触压力值，n表示接触压力值或者正向压降值的组数，1≤i≤n，1≤j≤n；对多组测试参数初始值进行求平均处理，得到所述测试参数。
2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述固定电流源包括：电感，一端与所述待测压接型半导体器件的集电极连接；电压源，正极与所述电感的另一端连接，负极与所述待测压接型半导体器件的发射极连接，用于提供固定电压。
3.一种压接型半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：获取施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值，每组所述接触压力值对应相同的施压面积；获取在所述多组接触压力值下的所述待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值，所述多组接触压力值与所述多组正向压降值一一对应；获取通过所述待测压接型半导体器件的固定电流；利用所述多组接触压力值、所述多组正向压降值、所述施压面积和所述固定电流按照预设计算公式计算得到测试参数；其中，所述测试参数用于表示所述待测压接型半导体器件的接触电阻值与施压面积以及接触压力值之间的计算系数；利用所述测试参数、所述施压面积、接触压力值以及所述接触电阻值之间的数值关系，计算得到所述待测压接型半导体器件的接触电阻值；所述利用所述多组接触压力值、所述多组正向压降值、所述施压面积和所述固定电流按照预设计算公式计算得到测试参数，包括：利用所述多组接触压力值、所述多组正向压降值、所述施压面积和所述固定电流按照预设计算公式计算得到多组测试参数初始值；对所述多组测试参数初始值进行求平均处理，得到所述测试参数；所述利用所述多组接触压力值、所述多组正向压降值、所述施压面积和所述固定电流按照预设计算公式计算得到多组测试参数初始值，包括：从所述多组接触压力值以及所述多组正向压降值的集合中确定出所有的参数计算组，每个所述参数计算组包括两组接触压力值及其对应的正向压降值，通过预设公式计算出 个所述测试参数初始值：其中，K为测试参数初始值，V fi 、V fj 分别为第i、第j组正向压降值，I为固定电流，A为施压面积，F i 、F j 分别为第i、第j组接触压力值，n表示接触压力值或者正向压降值的组数，1≤i≤n，1≤j≤n；通过如下公式计算得到所述接触电阻值：其中，R S 为接触电阻值，K 1 为测试参数，A为所述待测压接型半导体器件的压力接触面的面积，F为任意施加于所述待测压接型半导体器件的接触压力值。
4.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求3中所述的压接型半导体器件的测试方法。
5.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求3中所述的压接型半导体器件的测试方法。
