1.一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，其特征在于，所述IGBT芯片筛选结构包括上端盖（1）、下端盖（4）和发射极金属电极（5）；所述上端盖（1）和下端盖（4）均为凹形盖，所述上端盖（1）和下端盖（4）的两侧壁通过外框架弹簧（3）连接形成一个长方体框架；所述上端盖（1）和下端盖（4）的侧壁均设置有定位孔，二者通过定位销（2）固定；所述发射极金属电极（5）设置在所述长方体框架内，其包括圆盘形金属电极（51），及相对该圆盘形金属电极（51）的中心轴对称分布的多个凸台（52），所述凸台（52）上放置IGBT模块，其中所述外框架弹簧（3）能够将上端盖（1）支撑起来，用于放入或取出所述圆盘形金属电极（51）；所述圆盘形金属电极（51）布置在所述下端盖（4）上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板（55）和一个辅助栅极/发射极端子（54），该辅助栅极/发射极端子（54）用于连接IGBT芯片驱动板的负极；所述IGBT模块包括栅极弹簧顶针（53）、塑料框架（56）、IGBT芯片（57）、钼片（58）和陶瓷端盖（59）；所述IGBT芯片（57）和钼片（58）顺次设置在所述凸台（52）的上表面；所述IGBT芯片（57）的发射极一侧设置在所述凸台（52）上表面，集电极一侧设置在所述钼片（58）的下表面；所述塑料框架（56）为由四个侧壁构成的塑料框架，其套设在所述凸台（52）的外侧；所述陶瓷端盖（59）包括由四个陶瓷侧壁组成的陶瓷外壳（592）和一个顶部铜块（591），该陶瓷端盖（59）套设在所述塑料框架（56）的外侧；所述栅极弹簧顶针（53），用于连接所述栅极PCB板（55）与所述IGBT芯片（57）的栅极；所述陶瓷端盖（59）还包括导电铜片（593）、端盖弹簧（594）和导电铜块（595）；所述导电铜块（595）设置在所述钼片（58）的上表面；所述端盖弹簧（594）连接所述顶部铜块（591）与导电铜块（595）；所述导电铜片（593）也连接所述顶部铜块（591）与导电铜块（595）；所述上端盖（1）的上表面为光滑导电铜块（11），两侧壁为绝缘陶瓷（12）；所述下端盖（4）的下表面为光滑导电铜块（41），两侧壁为绝缘陶瓷（42）。
2.如权利要求1所述的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，其特征在于，所述凸台（52）的一角为缺口；所述栅极弹簧顶针（53）设置在所述缺口内。
3.如权利要求1所述的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，其特征在于，所述圆盘形金属电极（51）的厚度为5~8mm。
