林仲康

北京智慧能源研究院

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林仲康来自北京智慧能源研究院,专利108件。擅长半导体器件细节、半导体制造、电性能及故障测、多器件组件。最擅长半导体器件细节。排名在TOP1。功率半导体器件封装方法及封装结构是存续时间最长的专利。与国网智能电网研究院有限公司合作35次,与唐新灵合作92次。

半导体器件细节 多器件组件 半导体制造 电性能及故障测 计算机辅助设计 电路类型细节 分析优化类型 隔绝炉 力应力计量 力功功率转矩测 计算机材料科学 H01L29 晶闸管 变换部件 势垒电极

  1. 01
    半导体器件细节top 1%
    领域专利数量62/ 83142
    专家排名139/ 38050
  2. 02
    半导体器件技术top 1%
    领域专利数量71/ 460333
    专家排名1648/ 179580
  3. 03
    电气元件top 1%
    领域专利数量71/ 2164913
    专家排名6271/ 912497
  4. 04
    电学top 1%
    领域专利数量81/ 6126928
    专家排名14269/ 2572550
  5. 05
    半导体制造top 2%
    领域专利数量38/ 207690
    专家排名1485/ 89090

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与 国网智能电网研究院有限公司 的合作详情

共 35 项合作记录

一种半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法

20170918

CN201710842123.3

一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法

20170919

CN201710846539.2

一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块

20171115

CN201711129294.8

一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法

20171129

CN201711226416.5

一种功率器件模组及其制备方法

20171211

CN201711307492.9

一种功率器件封装结构及方法

20171211

CN201711307593.6

一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法

20171226

CN201711432765.2

一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置

20171226

CN201711432950.1

一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置

20171226

CN201711432966.2

一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

20171226

CN201711432967.7

一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

20171226

CN201711434609.X

烧结卡具、压接式IGBT模块单面烧结方法及制得的子模组

20171228

CN201711460195.8

双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组

20171228

CN201711462442.8

一种功率半导体模块

20181227

CN201811607844.7

一种功率芯片预封装方法及功率芯片封装方法

20190529

CN201910457774.X

功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构

20190530

CN201910467609.2

一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法

20191025

CN201911025441.6

一种半导体芯片的测试装置

20200417

CN202010307229.5

IGBT器件的测试装置、测试方法及电子设备

20200422

CN202010322303.0

一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置

20200426

CN202010340549.0

一种IGBT开关特性测试电路及测试方法

20200520

CN202010431615.5

一种多芯片测试装置及测试方法

20200805

CN202010779327.9

压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备

20200810

CN202010797186.3

一种多芯片测试装置

20200805

CN202021611203.1

一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块

20210128

CN202110122169.4

一种功率器件均流特性评估实验装置

20210224

CN202110207863.6

一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备

20210701

CN202110744361.7

一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统

20211101

CN202111282131.X

一种用于半导体器件的烧结设备及烧结方法

20211101

CN202111285623.4

一种用于压接型功率器件的测试设备

20211207

CN202111483879.6

一种功率半导体芯片封装结构

20211210

CN202111503735.2

一种IGBT封装结构

20211230

CN202111652104.7

一种用于半导体器件的烧结设备

20211101

CN202122651393.0

一种功率半导体器件及其制备方法

20220513

CN202210531661.1

一种用于半导体芯片封装的结构

20220715

CN202210839504.7