李聪
中国人民解放军国防科学技术大学
0专利总数
0许可专利
0转让专利
0第一发明人
0合作企业
李聪来自中国人民解放军国防科学技术大学，专利34件。擅长可擦编程存储器、协同作业、传感载体、反馈控制。最擅长可擦编程存储器。排名在TOP6。一种多标签识别的方法与装置是存续时间最长的专利。与湖南晟芯源微电子科技有限公司合作12次，与李建成合作28次。
技术领域排名
专利列表
- 失效
一种非挥发性存储器单元、存储器及操作方法
申请日: 20160729 公开日: 20200313 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法
申请日: 20151109 公开日: 20191119 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器
申请日: 20141024 公开日: 20180403 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 失效
一种用低压晶体管实现的电平转换器
申请日: 20140721 公开日: 20180330 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构
申请日: 20151109 公开日: 20180123 申请人: 天津先进技术研究院
显示 1-5 条，共 34 条
产研合作关联
与 湖南晟芯源微电子科技有限公司 的合作详情
共 12 项合作记录一种伪差分读取非易失存储器结构
20140721CN201410346457.8
一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346929.X
用于描述单栅非易失存储单元的理论模型及其建立方法
20140721CN201410346967.5
一种用低压晶体管实现的电平转换器
20140721CN201410346978.3
一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346979.8
一种单多晶非易失存储器的存储单元
20140721CN201410347126.6
一种应用于MTP存储器的灵敏放大器
20140721CN201410347150.X
一种应用于多次可编程非易失性存储器的灵敏放大器
20140721CN201410347150.X
兼容标准CMOS工艺的超低功耗差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347225.4
一种单栅极的非挥发性存储器结构及其操作方法
20140721CN201410347319.1
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347529.0
兼容标准CMOS工艺的伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410348957.5
一种双天线无源超高频电子标签芯片
20140722CN201410349044.5
