兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器

本发明公开了一种兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器，解决了功耗高的问题，缩小了存储单元结构的面积，包括多个存储单元，每个存储单元由控制管、第一读取管、第二读取管、第一选择管和第二选择管五个晶体管组成，所有的晶体管均为单多晶硅栅结构和相同厚度的栅氧化层，该存储单元与标准CMOS工艺兼容；本发明的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应，解决功耗高的问题；仅利用五个晶体管构成类似差分结构，集成度高，面积小，可靠性增强，提高了读取速度。