一种单栅极的非挥发性存储器结构及其操作方法

本发明属于半导体技术领域的半导体器件技术，可进行多次写入和擦除的非挥发性存储器及其操作方法。单栅极的非挥发性存储器包括一个隧穿管与一个控制端电容，控制端电容做在P型衬底的N阱中，由N型重掺杂扩散区、浅槽隔离中的氧化层和浅槽隔离中的多晶硅层构成；遂穿管是晶体管，晶体管的栅极和所述多晶硅层之间相连，构成浮栅。本发明提供了该存储器的编程方法，将隧穿管的衬底、源极和漏极接地，在控制端电容的控制栅电极上加电压，通过隧穿进行编程。擦除方法为将控制端电容的控制栅电极接地，隧穿管衬底接地，在隧穿管的源极和漏极加电压，通过隧穿进行擦除。