基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器

本发明公开了一种基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了面积，包括多个存储单元，每个存储单元由模块A和模块B组成，模块A由第一增压管AM1、第二增压管AM2、第一充电管AM3、第二充电管AM4四个晶体管构成。模块B由控制管BM1、隧穿管BM2、第一读取管BM3、第二读取管BM4、第一选择管BM5和第二选择管BM6构成。所有的晶体管均为单多晶硅栅结构和相同厚度的栅氧化层，该存储单元与标准CMOS工艺兼容；本发明降低应用成本，减少技术开发周期，读取速度比较快，可靠性高。