1.一种非挥发性存储器单元，其特征在于：由3个晶体管组成，分别为控制管Mc、隧穿管Mt和选择管Ms；所述控制管Mc的栅极和隧穿管Mt的栅极相连组成浮栅；所述隧穿管Mt的漏极和选择管的漏极相连；所述隧穿管Mt的源极与衬底连接，所述选择管Mt的衬底接地。
2.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元，其特征在于：所述选择管Ms为高压管。
3.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元，其特征在于：所述控制管Mc、隧穿管Mt为P型场效应晶体管。
4.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元，其特征在于：所述控制管Mc为电容或增加P+区结构的电容。
5.如权利要求1所述的一种非挥发性存储器单元，其特征在于：所述存储器单元引出4个端口，分别为控制管引出控制端，所述隧穿管的源极引出读取端，所述选择管的栅极引出选择端，所述选择管的漏极引出输出端。
6.一种非挥发性存储器，其特征在于：由若干个如权利要求1至5中任一项所述非挥发性存储器单元并联组成。
7.一种非挥发性存储器操作方法，采用如权利要求6中所述的非挥发性存储器，其特征在于，主要包括读取操作、编程操作和擦除操作；读取操作时，对选择读出的行和列，控制端接0伏电压，读取端接工作电压VDD，选择端接工作电压VDD，选择管开启；对于编程完状态的存储器单元，读取管开启；对于擦除完状态的存储器单元，读取管关闭；对不选择读出的行和列，控制端、读取端和选择端都接0伏电压；编程操作时，对需要编程的行和列，控制端加高压VPP，读取端和选择端接0伏电压，通过FN隧穿，将电子隧穿到浮栅；对不需要编程的行和列，控制端接0伏电压或VPP，读取端接中压VMID，选择端接0伏电压；擦除操作时，对需要擦除的行和列，控制端接0伏电压，读取端接工作电压VPP，选择端接0伏电压，通过FN隧穿，将电子从浮栅隧穿到读取管的源或漏或阱；对不需要擦除的行和列，控制端接中压VMID，读取端接高压VPP，选择端接0伏电压，通过对控制端加中压，减小浮栅到隧穿管的源、漏和阱的电压差，来抑制FN隧穿。
8.如权利要求7中所述的一种非挥发性存储器操作方法，其特征在于：所述高压VPP为10伏，中压VMID为5伏，工作电压VDD为1.5伏。
