王震
中国人民解放军国防科学技术大学
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王震来自中国人民解放军国防科学技术大学，专利15件。擅长可擦编程存储器、数字存储器读写、特定数据处理。最擅长可擦编程存储器。排名在TOP8。一种电平转换器是存续时间最长的专利。与湖南晟芯源微电子科技有限公司合作10次，与李文晓合作15次。
技术领域排名
专利列表
- 有效
基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器
申请日: 20141024 公开日: 20180403 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 失效
一种用低压晶体管实现的电平转换器
申请日: 20140721 公开日: 20180330 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 失效
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
申请日: 20140722 公开日: 20171229 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器
申请日: 20141024 公开日: 20171222 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 失效
一种单多晶非易失存储器的存储单元
申请日: 20140721 公开日: 20171222 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
显示 1-5 条，共 15 条
产研合作关联
与 湖南晟芯源微电子科技有限公司 的合作详情
共 10 项合作记录一种伪差分读取非易失存储器结构
20140721CN201410346457.8
一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346929.X
用于描述单栅非易失存储单元的理论模型及其建立方法
20140721CN201410346967.5
一种用低压晶体管实现的电平转换器
20140721CN201410346978.3
一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346979.8
一种单多晶非易失存储器的存储单元
20140721CN201410347126.6
一种应用于MTP存储器的灵敏放大器
20140721CN201410347150.X
一种应用于多次可编程非易失性存储器的灵敏放大器
20140721CN201410347150.X
兼容标准CMOS工艺的超低功耗差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347225.4
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347529.0
兼容标准CMOS工艺的伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410348957.5
