基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器

本发明公开了一种基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器，包括多个存储单元，其特征在于：每个存储单元包括两个不同的模块，模块A由控制管MA01、第一隧穿管MA02、第一读取管MA03和选择管MA04四个晶体管连接构成；模块B由控制管MB01、第二隧穿管MB02、第二读取管MB03和选择管MB04四个晶体管连接构成；由不完全对称的A、B两个模块组成，利用PMOS与NMOS器件阈值电压的不同来输出大小不同的电流差分信号，A、B两个模块总是同时进行擦除或者同时进行编程，操作简便，本发明的存储单元是差分信号的输出，并且输出的差分信号的差别非常大，所以单元的读取速度比较快，可靠性高。