李文晓
中国人民解放军国防科学技术大学
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李文晓来自中国人民解放军国防科学技术大学，专利20件。擅长可擦编程存储器、数字存储器读写、特定数据处理。最擅长可擦编程存储器。排名在TOP7。基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器是存续时间最长的专利。与湖南晟芯源微电子科技有限公司合作11次，与李聪合作20次。
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法
申请日: 20151109 公开日: 20191119 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
基于标准工艺的低功耗低擦写电压的非易失性存储器
申请日: 20141024 公开日: 20180403 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 失效
一种用低压晶体管实现的电平转换器
申请日: 20140721 公开日: 20180330 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构
申请日: 20151109 公开日: 20180123 申请人: 天津先进技术研究院
- 失效
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
申请日: 20140722 公开日: 20171229 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
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产研合作关联
与 湖南晟芯源微电子科技有限公司 的合作详情
共 11 项合作记录一种伪差分读取非易失存储器结构
20140721CN201410346457.8
一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346929.X
用于描述单栅非易失存储单元的理论模型及其建立方法
20140721CN201410346967.5
一种用低压晶体管实现的电平转换器
20140721CN201410346978.3
一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346979.8
一种单多晶非易失存储器的存储单元
20140721CN201410347126.6
一种应用于MTP存储器的灵敏放大器
20140721CN201410347150.X
一种应用于多次可编程非易失性存储器的灵敏放大器
20140721CN201410347150.X
兼容标准CMOS工艺的超低功耗差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347225.4
一种单栅极的非挥发性存储器结构及其操作方法
20140721CN201410347319.1
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347529.0
兼容标准CMOS工艺的伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410348957.5
