代千
西南技术物理研究所
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代千来自西南技术物理研究所，专利36件。擅长无机半导体器件、光电检测、器件制造处理。最擅长无机半导体器件，多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片是存续时间最长的专利。与柯尊贵合作12次。
历年科研重点
半导体制造 光调制器件 H01L31 集成辐射检测 H01L51 无机半导体器件 多器件组件 纳米材料 纳米加工 器件制造处理 测光 激光雷达 探测部件 光学设备测试 光电检测
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260317 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种基于硫掺杂HgTe量子点复合层光电探测器及其制备方法
申请日: 20251030 公开日: 20260210 申请人: 电子科技大学
- 在审
一种碳化硅微透镜阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260206 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法
申请日: 20250722 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
申请日: 20250818 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
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产研合作关联
与 柯尊贵 的合作详情
共 12 项合作记录一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
20251117CN202511685050.2
一种碳化硅微透镜阵列及其制备方法
20251117CN202511685111.5
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
20250818CN202511153175.0
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
20240618CN202410785618.7
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构
20240618CN202421388584.X
一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法
20231213CN202311706819.5
基于实时操作系统的激光雷达实验室模拟装置
20231211CN202311694071.1
一种双波段Ge/Si APD光电探测器
20231208CN202311675041.6
一种激光焦平面组件超透镜视场角测试系统及方法
20231207CN202311668827.5
一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构
20221229CN202211707653.4
一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法
20221227CN202211690373.7
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法
20221227CN202211690411.9
