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一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
摘要
本发明公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管,自下而上依次包括:背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。本发明可有效提升APD的雪崩信号触发概率,从而提高蓝绿光波段的探测效率。
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本发明公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管,自下而上依次包括:背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。本发明可有效提升APD的雪崩信号触发概率,从而提高蓝绿光波段的探测效率。