一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法

本发明公开了一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，选用P型高阻单晶硅衬底，高温推结形成隔离环与活性区；高温推结后形成主结区；完成正面钝化层与正面金属电极区制备；通过湿法电化学腐蚀在所述衬底背面形成具有倒金字塔阵列形状的微构造硅层；在上述硅衬底背面涂覆光刻胶，背面淀积介质膜钝化层，涂覆光刻胶，光刻、刻蚀介质膜层，去除光刻胶后，背面淀积金属，随后重新涂覆光刻胶，光刻后进行金属腐蚀，再次去除光刻胶，完成背面钝化层与背面金属电极区制备，然后进行电极合金化。本发明具备操作简便、成本低廉、不引入金属杂质离子、与现有硅基雪崩二极管制造工艺相兼容等特点，具备规模化生产的应用前景。