一种双波段Ge/Si APD光电探测器

本发明公开了一种双波段Ge/Si APD光电探测器，其包括：硅分离吸收区、电荷收集区和倍增区，形成SACM的Si‑APD；还包括Ge材料的SACM‑APD结构；Si SACM‑APD用来探测400nm～1000nm范围的波长，Ge SACM‑APD用来探测900nm～1400nm波长。本发明打破单波段目标探测的局限性，可以对目标同时进行可见光、红外两个波段的搜索，且体积小、价格低、重量轻、功耗小。