韩荣刚

国网智能电网研究院有限公司

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韩荣刚来自国网智能电网研究院有限公司,专利81件。擅长半导体器件细节、半导体制造、多器件组件、电性能及故障测。最擅长半导体器件细节。排名在TOP1。一种绝缘栅双极晶体管是存续时间最长的专利。与国家电网有限公司合作37次,与唐新灵合作50次。

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与 国家电网有限公司 的合作详情

共 37 项合作记录

一种绝缘栅双极晶体管

20120411

CN201210105487.0

一种大功率IGBT模块封装结构

20121211

CN201210530554.3

一种大功率IGBT模块封装结构

20121211

CN201220679167.1

一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件

20130523

CN201310195328.9

一种全压接IGBT模块及其装配方法

20130722

CN201310308903.1

一种大功率压接式IGBT封装模块

20130807

CN201310341881.9

一种大功率压接式IGBT器件

20131014

CN201310478518.1

一种全压接式功率器件

20131104

CN201310538589.6

一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件

20130523

CN201320287253.2

一种大功率压接式IGBT器件

20131014

CN201320632802.5

一种全压接式功率器件

20131104

CN201320689584.9

一种使用热管的压接式IGBT封装结构

20141017

CN201410551294.7

一种大功率压接型IGBT模块

20141126

CN201410693404.3

一种使用热管的压接式IGBT封装结构

20141017

CN201420602519.2

一种大功率压接型IGBT模块

20141126

CN201420721791.2

一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块

20171115

CN201711129294.8

一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法

20171129

CN201711226416.5

一种功率器件模组及其制备方法

20171211

CN201711307492.9

一种功率器件封装结构及方法

20171211

CN201711307593.6

一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法

20171226

CN201711432765.2

一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置

20171226

CN201711432950.1

一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置

20171226

CN201711432966.2

一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

20171226

CN201711432967.7

一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

20171226

CN201711434609.X

烧结卡具、压接式IGBT模块单面烧结方法及制得的子模组

20171228

CN201711460195.8

双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组

20171228

CN201711462442.8

一种功率半导体模块

20181227

CN201811607844.7

一种功率芯片预封装方法及功率芯片封装方法

20190529

CN201910457774.X

一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法

20191025

CN201911025441.6

一种半导体芯片的测试装置

20200417

CN202010307229.5

IGBT器件的测试装置、测试方法及电子设备

20200422

CN202010322303.0

一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置

20200426

CN202010340549.0

一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法

20200426

CN202010340570.0

压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备

20200810

CN202010797186.3

一种功率半导体芯片封装结构

20211210

CN202111503735.2

一种功率器件热阻模型构建方法、装置及存储介质

20220309

CN202210228763.6

一种绝缘栅双极晶体管

20140327

CN201220151783.X