姚梦麒
西南技术物理研究所
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姚梦麒来自西南技术物理研究所，专利18件。擅长光电检测、无机半导体器件、器件制造处理、探测部件。最擅长光电检测。排名在TOP9。一种平面连杆结构芯片夹持装置是存续时间最长的专利。与郝昕合作11次。
历年科研重点
H01L31 纳米材料 纳米加工 工器具存取 印刷电路制造 机械部件测试 机械应力强度测试 光学设备测试 测光 H01L27 无机半导体器件 光电检测 器件制造处理 探测部件 集成辐射检测
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260317 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
一种平面连杆结构芯片夹持装置
申请日: 20221124 公开日: 20251223 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法
申请日: 20250722 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
申请日: 20250818 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种基于隔直电容的双路径跨阻放大器
申请日: 20250714 公开日: 20251128 申请人: 西南技术物理研究所
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产研合作关联
与 罗国凌 的合作详情
共 11 项合作记录一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
20251117CN202511685050.2
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
20250818CN202511153175.0
一种基于隔直电容的双路径跨阻放大器
20250714CN202510963622.2
一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法
20250714CN202510963716.X
半金属MoTe改性方法及基于改性半金属MoTe的光电探测器
20250530CN202510716600.6
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
20240618CN202410785618.7
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构
20240618CN202421388584.X
一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法
20231213CN202311706819.5
一种激光焦平面组件超透镜视场角测试系统及方法
20231207CN202311668827.5
一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法
20221227CN202211690373.7
铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法
20221227CN202211691594.6
