史波
珠海零边界集成电路有限公司
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史波来自珠海零边界集成电路有限公司，专利322件。擅长半导体制造、半导体器件细节、变换部件、多器件组件。最擅长半导体制造。排名在TOP1。一种功率器件的终端结构及其制造方法是存续时间最长的专利。与珠海格力电器股份有限公司合作142次，与曾丹合作146次。
历年科研重点
半导体制造 半导体器件细节 H01L29 多器件组件 H01L27 半导体势垒 变换部件 整流逆变 半导体集成器件
技术领域排名
专利列表
- 在审
半导体装置和电子设备
申请日: 20250923 公开日: 20260210 申请人: 海信家电集团股份有限公司
- 在审
功率模块及其应用
申请日: 20250901 公开日: 20251205 申请人: 海信家电集团股份有限公司
- 有效
一种快速恢复二极管的制备方法
申请日: 20200928 公开日: 20251202 申请人: 珠海零边界集成电路有限公司
- 有效
一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置
申请日: 20190422 公开日: 20251104 申请人: 珠海格力电器股份有限公司
- 在审
半导体装置、电路板组件、电控盒和电器设备
申请日: 20250530 公开日: 20251031 申请人: 海信家电集团股份有限公司
显示 1-5 条，共 322 条
产研合作关联
与 珠海格力电器股份有限公司 的合作详情
共 142 项合作记录一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法
20181210CN201811505672.2
一种芯片封装结构及芯片封装方法
20190716CN201910639479.6
一种半导体功率器件及制备方法
20190828CN201910803935.6
一种终端结构制造方法
20190902CN201910824911.9
一种功率半导体加工方法及功率半导体
20190930CN201910944655.7
一种集成芯片及其制备方法
20191021CN201910998781.0
IGBT芯片、其制造方法及功率模块
20191021CN201911002701.8
一种功率器件及电子设备
20191022CN201911006756.6
一种半导体终端结构及其制备方法
20191024CN201911019123.9
框架、其制备方法以及高温反相偏压试验
20191122CN201911157274.0
功率模块的驱动器、智能功率模块和空调
20191203CN201911221560.9
沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备
20191206CN201911243260.0
一种芯片封装结构及其封装方法
20191213CN201911285690.9
半导体装置及其制备方法
20191217CN201911301083.7
一种智能功率模块及封装方法
20191220CN201911330697.8
功率半导体器件元胞结构、其制备方法及功率半导体器件
20191223CN201911337436.9
基于功率半导体器件的散热结构及安装方法
20191223CN201911339951.0
功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法
20191224CN201911343001.5
功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法
20191224CN201911343176.6
芯片的制作方法
20191225CN201911355371.0
一种防止QFN模封框架翘曲的塑封模具及方法
20191226CN201911362878.9
芯片封装结构及其制备方法
20191226CN201911363520.8
芯片封装方法、刻蚀设备及芯片
20191225CN201911373510.2
半导体装置及其制造方法
20191227CN201911375713.5
一种芯片模块、电子模组及制备方法
20191230CN201911398441.0
一种引线框架和功率半导体器件
20191017CN201921744581.4
一种引线框架
20191021CN201921768833.7
一种半导体终端结构及半导体结构
20191024CN201921806520.6
一种可调节电阻的功率模块
20191122CN201922036724.2
一种用于方形扁平无引脚封装的印刷电路板
20191127CN201922078902.8
功率半导体封装器件
20191205CN201922166561.X
一种电路板基板及电子器件
20191205CN201922167001.6
智能功率模块及电子设备
20191205CN201922167175.2
沟道型功率器件版图结构、半导体功率器件及电子设备
20191206CN201922178796.0
一种元器件和PCB线路板
20191213CN201922248723.4
一种用于芯片烘烤工艺的料盘
20191216CN201922258041.1
一种半导体器件
20191218CN201922293224.7
一种芯片封装方法
20200103CN202010006235.7
半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件
20200106CN202010008279.3
一种芯片封装结构
20200106CN202010009743.0
一种IGBT模块封装结构和封装方法
20200106CN202010010609.2
芯片、功率器件及芯片的制作方法
20200109CN202010021121.X
QFN框架结构、QFN封装结构及制作方法
20200109CN202010022416.9
一种用于控制器的电路板及控制器
20200110CN202010026505.0
一种芯片模块封装结构和封装方法
20200110CN202010026814.8
一种防止智能功率模块溢胶的方法
20200113CN202010031012.6
一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法
20200117CN202010055038.4
一种碳化硅功率二极管及其制作方法
20200119CN202010059519.2
一种功率半导体芯片及其制备方法
20200119CN202010060417.2
功率半导体芯片、制造装置以及制造方法
20200119CN202010060419.1
一种IGBT的制作方法
20200119CN202010062843.X
IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版
20200120CN202010064134.5
一种智能功率模块及其制备方法
20200120CN202010064223.X
一种功率半导体器件的封装模块和封装方法
20200217CN202010097522.3
一种DBC基板框架结构及其成型治具、成型方法
20200219CN202010102198.X
沟槽型IGBT及其制备方法
20200219CN202010103077.7
半导体器件、芯片、设备和制造方法
20200224CN202010111560.X
一种智能功率模块、封装结构及封装结构的制备方法
20200302CN202010135151.3
一种肖特基半导体器件及其制作方法
20200305CN202010151123.0
陶瓷基板结构、智能功率模块及其制备方法
20200309CN202010157109.1
一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件
20200311CN202010164755.0
沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT
20200311CN202010165425.3
封装结构及其制造方法
20200311CN202010166039.6
功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法
20200311CN202010166471.5
逆导型IGBT及其制备方法
20200311CN202010167943.9
一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及其制备方法
20200312CN202010170752.8
一种封装结构
20200318CN202010192457.2
一种碳化硅功率二极管及其制备方法
20200323CN202010206337.3
针脚、功率器件、功率器件的制造方法和封装模具
20200323CN202010209711.5
一种RC-IGBT器件及其制备方法
20200324CN202010212618.X
一种快恢复半导体器件及其制作方法
20200407CN202010266554.1
一种门禁控制方法、门禁系统、存储介质及电子设备
20200426CN202010338147.7
红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备
20200506CN202010374872.X
碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法
20200713CN202010668498.4
一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用
20200825CN202010864533.X
一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管
20200901CN202010904608.2
碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法
20200909CN202010940924.5
一种少子寿命控制方法
20200922CN202011005223.9
一种快速恢复二极管的制备方法
20200928CN202011037492.3
半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质
20201019CN202011120582.9
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
20201019CN202011120756.1
智能功率模块测试装置及系统
20201130CN202011370732.1
一种芯片封装结构
20200106CN202020023540.2
智能功率模块及电子设备
20200109CN202020045615.7
一种IGBT结构
20200110CN202020048306.5
一种半导体封装器件及组合半导体封装器件
20200109CN202020048803.5
一种包装盒
20200109CN202020048981.8
一种基板、功率模块以及封装结构
20200109CN202020049106.1
一种绝缘栅双极型晶体管
20200115CN202020082994.7
一种功率模块及电子设备
20200117CN202020117568.2
一种功率器件引脚框架以及功率器件
20200119CN202020121147.7
一种碳化硅功率器件终端结构
20200117CN202020123248.8
用于封装模块的散热片与封装模块
20200119CN202020125026.X
一种碳化硅功率二极管
20200119CN202020128041.X
一种用于封装结构的均热板及快速散热封装结构
20200119CN202020132543.X
IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版
20200120CN202020138076.1
一种功率模块上下桥芯片叠层布局结构以及功率模块
20200219CN202020184286.4
芯片测试引脚转接机构与芯片测试装置
20200219CN202020184858.9
一种封装体散热结构及功率半导体器件
20200219CN202020185049.X
IPM模块及具有其的空调器
20200219CN202020186327.3
器件级封装模块以及电路板
20200219CN202020186451.X
沟槽型IGBT
20200219CN202020190162.7
分立器件
20200306CN202020267141.0
陶瓷基板结构及智能功率模块
20200309CN202020277550.9
一种功率模块
20200310CN202020286911.6
一种芯片及电子器件
20200311CN202020297245.6
一种平电场沟槽半导体芯片终端结构及半导体芯片
20200312CN202020302696.4
一种测试装置及测试系统
20200317CN202020338083.6
一种封装结构
20200318CN202020348296.7
一种碳化硅功率二极管
20200323CN202020371789.2
一种QFN封装导热焊盘及具有其的QFN封装结构
20200323CN202020379927.1
针脚、功率器件和封装模具
20200323CN202020380049.5
功率模块
20200413CN202020536884.3
一种温度传感器及温度检测设备
20200421CN202020610689.0
一种摄像头及智能设备
20200424CN202020642573.5
热电堆芯片
20200429CN202020691064.1
测温装置及测温设备
20200506CN202020723097.X
一种贴片元器件的封装结构、贴片元器件及电子设备
20200506CN202020729244.4
热电堆芯片
20200509CN202020762459.6
一种功率器件散热装置
20200604CN202021008548.8
碳化硅肖特基半导体器件
20200909CN202021961880.6
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
20201019CN202022333807.0
一种功率器件全包封结构
20201224CN202023166272.9
一种智能功率模块及其制备方法
20210225CN202110212995.8
模块封装结构、电路板总成及模块封装方法
20210726CN202110844155.3
芯片、芯片制备方法及电子器件
20210726CN202110845637.0
一种智能功率模块
20210225CN202120431030.3
一种功率模块及电子设备
20210316CN202120543992.8
半导体器件的元胞结构及半导体器件
20210526CN202121152384.0
智能功率器件和变频设备
20210528CN202121180861.4
一种半导体模块及封装结构
20210715CN202121614626.3
电子器件的管脚、电子器件及封装模具
20210928CN202122374176.1
一种沟槽栅IGBT及其制作方法
20191030CN201710667268.4
一种功率器件的终端结构及其制造方法
20200910CN201710713690.9
绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备
20191030CN201711046452.3
半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法
20200915CN201811259338.3
一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备
20200916CN201811340375.7
一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
20200930CN201811466031.0
沟槽型功率器件及其形成方法
20200914CN201811467502.X
一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备
20190807CN201821859361.1
一种绝缘栅双极型晶体管
20190815CN201822020863.1
一种晶圆级封装方法和晶圆
20200917CN201910636287.X
