半导体装置和电子设备

本发明公开了一种半导体装置和电子设备，半导体装置包括：半导体基体包括绝缘栅双极型晶体管区域和快恢复二极管区域，集电极层至少部分地位于绝缘栅双极型晶体管区域中；短路区位于快恢复二极管区域中；设定绝缘栅双极型晶体管区域的额定电流为I1，设定快恢复二极管区域的额定电流为I2，I1和I2满足关系式：I1和I2满足关系式：I2≤I1/3。由此，可以使得快恢复二极管区域的额定电流较小，在将半导体装置作为PFC电路中的功率芯片时，不仅可以减小快恢复二极管区域的面积，从而使得半导体装置整体更加小型化，降低成本且方便半导体装置布置，而且还可以减小反向恢复损耗，以及可以提升散热性能。