1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：塑封壳体，在所述塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在所述塑封壳体内的IGBT集成电路，其与所述栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在所述塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在所述IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻；还包括用于承载芯片并将所述IGBT集成电路与集电极引脚连接的铜片；所述铜片和集电极引脚为一体式结构。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述DigiPOT集成电路和所述IGBT集成电路形成在同一个芯片中。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述DigiPOT集成电路设于所述芯片的边角区域内。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述DigiPOT集成电路和IGBT集成电路各为一个芯片。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚均通过键合线连接所述IGBT集成电路或DigiPOT集成电路。
6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，所述键合线为铜线或金线。
7.根据权利要求1到4中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件为单管式结构或模块式结构。
8.一种功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法用于制造权利要求1至7中任一项所述的功率半导体器件，其包括以下步骤：a、准备芯片，所述芯片包括IGBT集成电路和DigiPOT集成电路，其中所述DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在所述IGBT集成电路的栅极结构层内并作为能够调节阻值的栅极电阻；b、将栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚与所述IGBT集成电路相连，再将正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚与所述DigiPOT集成电路相连；c、通过注塑方式对所述芯片进行封装，形成固定所述芯片及各个引脚用的塑封壳体。
