1.一种碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，包括：N型碳化硅衬底；形成于所述N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行所述N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区与第二JTE区，所述第一JTE区与所述P+区连接，且所述第一JTE区与所述第二JTE区不同层设置；形成于所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，当所述第一JTE区位于所述第二JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第一JTE区与所述介质钝化层接触；当所述第二JTE区位于所述第一JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第二JTE区与所述介质钝化层接触；所述第一JTE区在所述N型碳化硅衬底上的正投影和所述第二JTE区在所述N型碳化硅衬底上的正投影无交叠。
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，所述P+区包括第一P+区和第二P+区，所述第一P+区设于所述第二P+区朝向所述N型碳化硅衬底的一侧；当所述第二JTE区位于所述第一JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第一JTE区与所述第一P+区同层设置，所述第二JTE区与所述第二P+区同层设置。
3.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，当所述第一JTE区位于所述第二JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第二JTE区位于所述第一JTE区与所述N型碳化硅衬底之间。
4.根据权利要求2或3所述的碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，还包括形成于所述P+区与所述介质钝化层之间的正面金属电极以及形成于所述N型碳化硅衬底背离所述N型碳化硅外延层一侧的背面金属电极，所述正面金属电极与所述P+区电学接触。
5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，还包括形成于所述介质钝化层背离所述N型碳化硅衬底一侧的聚酰亚胺钝化层。
6.一种碳化硅功率器件终端结构的制备方法，用于制备如权利要求1-5任一项所述的碳化硅功率器件终端结构，其特征在于，包括：形成N型碳化硅衬底；在所述N型碳化硅衬底上形成N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行所述N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区与第二JTE区，所述第一JTE区与所述P+区连接，且所述第一JTE区与所述第二JTE区不同层设置；在所述N型碳化硅外延层上形成介质钝化层，当所述第一JTE区位于所述第二JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第一JTE区与所述介质钝化层接触；当所述第二JTE区位于所述第一JTE区背离所述N型碳化硅衬底一侧时，所述第二JTE区与所述介质钝化层接触。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述P+区包括第一P+区和第二P+区时，在所述N型碳化硅外延层形成第一P+区、第二P+区、所述第一JTE区以及所述第二JTE区的方法包括：在所述N型碳化硅衬底上外延生长、形成所述N型碳化硅外延层；沉积第一离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第一离子注入掩膜层，暴露所述第一离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第一离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成第一P+区；去除所述第一离子注入掩膜层；沉积第二离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第二离子注入掩膜层，暴露所述第二离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第二离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成第一JTE区；去除所述第二离子注入掩膜层；在所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底的一侧再次外延生长N型碳化硅外延层；沉积第三离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第三离子注入掩膜层，暴露所述第三离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第三离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成第二P+区；去除所述第三离子注入掩膜层；沉积第四离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第四离子注入掩膜层，暴露所述第四离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第四离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成第二JTE区；去除所述第四离子注入掩膜层，制备碳膜作为高温激活保护层；高温激活所述P型掺杂离子，且在激活后去除碳膜。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当所述第二JTE区位于所述第一JTE区与所述N型碳化硅衬底之间时，在所述N型碳化硅外延层形成P+区、所述第一JTE区以及所述第二JTE区的方法包括：在所述N型碳化硅衬底上外延生长、形成所述N型碳化硅外延层；沉积第一离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第一离子注入掩膜层，暴露所述第一离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第一离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成第二JTE区；去除所述第一离子注入掩膜层；在所述N型碳化硅外延层背离所述N型碳化硅衬底的一侧再次外延生长N型碳化硅外延层；沉积第二离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第二离子注入掩膜层，暴露所述第二离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第二离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成P+区；去除所述第二离子注入掩膜层；沉积第三离子注入掩膜层，干法刻蚀所述第三离子注入掩膜层，暴露所述第三离子注入掩膜层的离子注入区域，且在所述第三离子注入掩膜层的离子注入区域注入P型掺杂离子、形成第一JTE区；去除所述第三离子注入掩膜层，制备碳膜作为高温激活保护层；高温激活所述P型掺杂离子，且在激活后去除碳膜。
9.根据权利要求7或8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碳膜的制备方法为光刻胶碳化或溅镀。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述P+区上形成正面金属电极；在所述N型碳化硅衬底背离所述N型碳化硅外延层的一侧形成背面金属电极。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，还包括：在所述正面金属电极以及所述N型碳化硅外延层上沉积介质钝化层；在所述介质钝化层上制备聚酰亚胺钝化层。
