王江文
北京纳米能源与系统研究所
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王江文来自北京纳米能源与系统研究所，专利5件。擅长场效应晶体管、势垒电极、半导体制造。最擅长场效应晶体管。排名在TOP37。一种晶体管、其制作方法及电子器件是存续时间最长的专利。与胡卫国合作5次。
历年科研重点
H01L33 半导体制造 势垒电极 场效应晶体管
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种晶体管、其制作方法及电子器件
申请日: 20241230 公开日: 20260127 申请人: 北京纳米能源与系统研究所
- 在审
一种具有高阈值电压的常关型的晶体管及其制作方法
申请日: 20251216 公开日: 20260116 申请人: 北京纳米能源与系统研究所
- 失效
金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制备方法
申请日: 20250918 公开日: 20251021 申请人: 北京纳米能源与系统研究所
- 在审
Micro-LED阵列转移的方法
申请日: 20230908 公开日: 20240116 申请人: 北京纳米能源与系统研究所
- 失效
硅衬底上圆盘型Micro-LED阵列转移的方法
申请日: 20220110 公开日: 20220517 申请人: 北京纳米能源与系统研究所
