1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底之上依次层叠形成沟道层和势垒层；采用镀膜技术，在所述势垒层之上依次层叠形成钛合金层和金层；对形成所述钛合金层和所述金层的衬底进行热处理，形成导电穿透部和电极，所述导电穿透部穿过所述势垒层且分别与所述电极和所述沟道层内的二维电子气直接连接；所述电极的制作材料包括：由所述钛合金层中的钛合金和所述金层中的金形成的钛合金和金合金；所述沟道层的制作材料为GaN，所述势垒层的制作材料为AlGaN或AlN，所述导电穿透部中包括氮化钛，所述导电穿透部由多个穿透岛连接形成；所述钛合金包括：钛铝合金和钛铝钽合金，所述导电穿透部包括第三合金，所述第三合金为金铝钽合金，所述第三合金呈网状结构并分散于所述导电穿透部中，增加所述导电穿透部的横向面积，降低接触电阻。
2.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管采用如权利要求1所述的制作方法制作，所述晶体管包括：衬底以及依次层叠设于所述衬底之上的沟道层、势垒层；所述晶体管还包括：设于所述势垒层背离所述沟道层一侧的电极，所述电极包括源极和漏极中的至少一个，所述电极的制作材料包括：钛合金和金合金；所述晶体管还包括导电穿透部，所述导电穿透部穿过所述势垒层且分别与所述电极和所述沟道层内的二维电子气直接连接。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述金合金为所述钛合金中除钛之外的至少部分元素与金元素形成的合金。
4.如权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述电极与所述二维电子气之间的接触电阻不大于0.15Ω mm。
5.一种电子器件，其特征在于，包括：如权利要求2-4任一项所述的晶体管。
