金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制备方法

本申请涉及半导体技术领域，公开一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制备方法。该金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管包括外延片；源极和漏极位于外延片的一侧并间隔设置；复合栅介质层位于外延片的一侧，且位于源极与漏极之间；复合栅介质层包括至少两个沿源极和漏极排列方向布设且制备材料不同的栅介质子层；至少两个栅介质子层中靠近漏极的栅介质子层的制备材料的介电常数最大且大于3.9F/m；栅极位于复合栅介质层背离外延片一侧，且栅极至少覆盖介电常数最大的栅介质子层与相邻栅介质子层的交界面在外延片的正投影。该金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管能够实现器件的高频高压协同优化，并满足新型应用领域需求。