一种具有高阈值电压的常关型的晶体管及其制作方法

本申请公开了一种具有高阈值电压的常关型的晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底、以及依次叠层设于衬底之上的缓冲层、沟道层、势垒层和栅极；沟道层包括GaN，势垒层包括AlGaN，沟道层和势垒层形成二维电子气层；栅极包括p‑GaN和原子插层，原子插层插入至GaN的晶格之间的间隙中。如此，使得晶体管的阈值电压为正值，得到了常关型的晶体管，并且原子插层还可以进一步提高阈值电压。