Micro-LED阵列转移的方法

本发明涉及Micro‑LED阵列转移领域，公开了一种Micro‑LED阵列转移的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅衬底垂直结构Micro‑LED阵列间注入PDMS溶液，形成覆盖PDMS薄膜的Micro‑LED阵列；(2)将覆盖PDMS薄膜的Micro‑LED阵列进行化学气相剥离法剥离硅衬底和柔性转移，转移到目标基板上。本发明通过气相化学反应使Micro‑LED芯片在硅衬底上实现柔性剥离并转移，气相反应过程具有较高的精度和可控性，能够实现微米级别的转移精度，操作简单，无需复杂的对准步骤，提高了转移的效率，有利于大规模生产。