一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构

1.一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构，其特征在于，自下而上依次包括：背面金属电极、N+型高掺衬底、N-型外延层Ⅰ、N型电荷区、N-型外延层Ⅱ、P+型光敏区、隔离环、抗反射层、以及正面金属电极；所述背面金属电极位于N+型高掺衬底的背面，所述N-型外延层Ⅰ位于N+型高掺衬底的正面；所述N型电荷区为注入到N-型外延层Ⅰ的结构；所述N-型外延层Ⅱ为在N-型外延层Ⅰ完成N型电荷区注入后二次外延生长的结构；所述P+型光敏区和隔离环均为注入到N-型外延层Ⅱ的结构，且所述隔离环位于P+型光敏区的两侧；所述抗反射层和正面金属电极均位于N-型外延层Ⅱ的表面，且所述抗反射层位于P+型光敏区的上面、所述正面金属电极位于P+型光敏区的两侧表面；所述N+型高掺衬底的厚度为20～200μm；所述N-型外延层Ⅰ的厚度为1.5～4μm；所述N型电荷区的厚度为0.5～1μm；所述N-型外延层Ⅱ的厚度为1.5～2.5μm；所述P+型光敏区的厚度为0.2～0.4μm。 2.如权利要求1所述的蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构，其特征在于，所述N+型高掺衬底的掺杂浓度在10 17 ～10 20 cm -3 之间；所述N-型外延层Ⅰ的掺杂浓度在10 13 ～10 15 cm -3 之间；所述N型电荷区的掺杂浓度在10 14 ～10 16 cm -3 之间。 3.如权利要求2所述的蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构，其特征在于，所述N-型外延层Ⅱ的掺杂浓度在10 12 ～10 14 cm -3 之间；所述P+型光敏区的掺杂浓度在10 17 ～10 20 cm -3 之间；所述隔离环为N型掺杂，掺杂浓度在10 14 ～10 16 cm -3 之间。