邓世杰
西南技术物理研究所
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邓世杰来自西南技术物理研究所，专利26件。擅长光电检测、无机半导体器件、探测部件、激光雷达。最擅长光电检测。排名在TOP9。一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统是存续时间最长的专利。与柯尊贵合作12次。
历年科研重点
H01L31 电化磁测 光电检测 光传输 半导体器件细节 无机半导体器件 器件制造处理 探测部件 激光雷达
技术领域排名
专利列表
- 在审
基于非对称光栅与侧向微腔耦合的抗反射半导体激光器
申请日: 20251224 公开日: 20260324 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260317 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种碳化硅微透镜阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260206 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
申请日: 20250818 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种基于隔直电容的双路径跨阻放大器
申请日: 20250714 公开日: 20251128 申请人: 西南技术物理研究所
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产研合作关联
与 柯尊贵 的合作详情
共 12 项合作记录一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
20251117CN202511685050.2
一种碳化硅微透镜阵列及其制备方法
20251117CN202511685111.5
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
20250818CN202511153175.0
一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法
20250714CN202510963716.X
一种适用于焦平面探测器的无损数据压缩方法与装置
20250711CN202510957078.0
适用于焦平面探测器的预测搜索型SAR ADC电路及SAR ADC方法
20250630CN202510890042.5
一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法
20250629CN202510883645.2
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
20240618CN202410785618.7
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构
20240618CN202421388584.X
一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法
20231213CN202311706819.5
一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统
20181224CN201811584566.8
公共极进光半导体光电二极管阵列芯片测试用工装夹具
20151230CN201518011198.9
