刘永
西南技术物理研究所
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刘永来自西南技术物理研究所，专利11件。擅长无机半导体器件、光电检测、器件制造处理、激光雷达。最擅长无机半导体器件。排名在TOP21。一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构是存续时间最长的专利。与罗国凌合作10次。
历年科研重点
H01L31 光电检测 无机半导体器件 半导体器件细节 器件制造处理 激光雷达 探测部件
技术领域排名
专利列表
- 在审
一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
申请日: 20251117 公开日: 20260317 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
申请日: 20250818 公开日: 20251209 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种用于焦平面探测器的高精度低功耗时间数字转换电路
申请日: 20250708 公开日: 20251128 申请人: 西南技术物理研究所
- 在审
一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法
申请日: 20250714 公开日: 20251121 申请人: 西南技术物理研究所
- 有效
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构
申请日: 20240618 公开日: 20250704 申请人: 西南技术物理研究所
显示 1-5 条，共 10 条
产研合作关联
与 罗国凌 的合作详情
共 10 项合作记录一种水下探测增强型硅基雪崩二极管阵列及其制备方法
20251117CN202511685050.2
一种多元复合降噪/单光子统计双模激光焦平面探测器
20250818CN202511153175.0
一种硅基光电二极管进光面浅接触层制备方法
20250714CN202510963716.X
半金属MoTe改性方法及基于改性半金属MoTe的光电探测器
20250530CN202510716600.6
一种MIM电容制造方法
20241230CN202411960323.5
一种极低噪声盖革雪崩单光子探测器及其制备方法
20241212CN202411826205.5
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
20240618CN202410785618.7
一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构
20240618CN202421388584.X
一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法
20231213CN202311706819.5
一种用于硅基光敏芯片减薄的方法
20211208CN202111491478.5
