曾祥华
中国人民解放军国防科学技术大学
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曾祥华来自中国人民解放军国防科学技术大学，专利18件。擅长可擦编程存储器、反馈控制、数字存储器读写。最擅长可擦编程存储器。排名在TOP11。基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器是存续时间最长的专利。与湖南晟芯源微电子科技有限公司合作8次，与李聪合作15次。
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法
申请日: 20151109 公开日: 20191119 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 失效
一种用低压晶体管实现的电平转换器
申请日: 20140721 公开日: 20180330 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构
申请日: 20151109 公开日: 20180123 申请人: 天津先进技术研究院
- 失效
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
申请日: 20140722 公开日: 20171229 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 有效
基于标准工艺的超低功耗非易失性存储器
申请日: 20141024 公开日: 20171222 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
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产研合作关联
与 湖南晟芯源微电子科技有限公司 的合作详情
共 8 项合作记录一种伪差分读取非易失存储器结构
20140721CN201410346457.8
用于描述单栅非易失存储单元的理论模型及其建立方法
20140721CN201410346967.5
一种用低压晶体管实现的电平转换器
20140721CN201410346978.3
一种具有低多晶掺杂浓度的单栅非易失存储单元
20140721CN201410346979.8
一种用于无源UHF RFID标签芯片可校准基准电路
20140721CN201410347173.0
一种用于无源UHFRFID标签芯片可校准基准电路
20140721CN201410347173.0
一种单栅极的非挥发性存储器结构及其操作方法
20140721CN201410347319.1
兼容标准CMOS工艺的超低功耗伪差分结构非易失性存储器
20140722CN201410347529.0
一种应用于电子标签中的新型环形振荡器
20140722CN201410347551.5
