基于非对称光栅与侧向微腔耦合的抗反射半导体激光器

本发明属于半导体激光器技术领域，公开了一种基于非对称光栅与侧向微腔耦合的抗反射半导体激光器，包括衬底层（2）和依次形成在其上方的缓冲层（3）、下限制层（4）、下波导层（5）、多量子阱层（6）、上波导层（7）、光栅层（8）、盖层（9）、接触层（10）；光栅层（8）非对称分布，其折射率调制深度沿腔长方向非均匀变化，靠近激光器前端光输出端的前半段光栅具有较浅的调制深度，后半段光栅具有较深的调制深度。本发明在激光器内部引入一种“光路不可逆”结构，使正向出射光高效输出，而将反向反射光引导至一个特制的“光陷阱”中被吸收耗散，而非返回有源区。