廖勇波

珠海格力电器股份有限公司

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廖勇波来自珠海格力电器股份有限公司,专利159件。擅长半导体器件细节、半导体制造、半导体势垒、电性能及故障测。最擅长半导体器件细节。排名在TOP1。一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备是存续时间最长的专利。与珠海零边界集成电路有限公司合作52次,与李春艳合作85次。

半导体制造 半导体器件细节 多器件组件 H01L29 印刷电路 电性能及故障测 增材制造过程 变换部件 半导体势垒 整流逆变 场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 势垒电极 半导体集成器件

  1. 01
    无机半导体器件top 1%
    领域专利数量38/ 15415
    专家排名62/ 9161
  2. 02
    半导体器件细节top 1%
    领域专利数量57/ 83142
    专家排名168/ 38050
  3. 03
    半导体制造top 1%
    领域专利数量57/ 207690
    专家排名759/ 89090
  4. 04
    半导体器件技术top 1%
    领域专利数量85/ 460333
    专家排名1196/ 179580
  5. 05
    电气元件top 1%
    领域专利数量85/ 2164913
    专家排名4462/ 912497

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与 珠海零边界集成电路有限公司 的合作详情

共 52 项合作记录

一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法

20181210

CN201811505672.2

基于功率半导体器件的散热结构及安装方法

20191223

CN201911339951.0

一种用于方形扁平无引脚封装的印刷电路板

20191127

CN201922078902.8

一种芯片封装结构

20200106

CN202010009743.0

一种芯片封装结构

20200106

CN202020023540.2

智能功率模块及电子设备

20200109

CN202020045615.7

一种智能功率模块及其制备方法

20210225

CN202110212995.8

模块封装结构、电路板总成及模块封装方法

20210726

CN202110844155.3

一种智能功率模块

20210225

CN202120431030.3

一种半导体模块及封装结构

20210715

CN202121614626.3

电子器件的管脚、电子器件及封装模具

20210928

CN202122374176.1

芯片的封装方法和封装结构

20220704

CN202210781089.4

用于RC-IGBT离子注入的掩膜结构以及其制作方法

20220706

CN202210790583.7

封装结构、封装方法及半导体器件

20220804

CN202210933859.2

功率模块及电子器件

20221020

CN202211288556.6

半导体封装结构及半导体封装方法

20221025

CN202211311401.X

测试方法、装置、存储介质及电子设备

20221111

CN202211413931.5

隔离驱动装置、方法、系统、功率器件及电子设备

20221216

CN202211637587.8

一种沟槽场效应晶体管及其制备方法

20221226

CN202211676804.4

一种导热硅脂涂抹工具及应用该工具的IGBT模块安装方法

20221226

CN202211679768.7

半导体器件封装模块

20220616

CN202221521042.6

夹紧组件、测试夹具及测试设备

20220713

CN202221816222.7

散热器及功率模块组件

20221212

CN202223356696.0

IGBT模组组件、功率器件及电子器件

20230320

CN202310276849.0

复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板

20230728

CN202310943667.4

一种功率模块与散热器结构

20231213

CN202311720938.6

一种电路板测试数据分析系统及方法

20231220

CN202311766236.1

智能功率模块

20230728

CN202322021187.0

一种功率模块与散热器结构

20231213

CN202323414082.8

一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

20240621

CN202410811208.5

一种无感电机的测试方法、装置、电子设备及介质

20240701

CN202410868085.9

一种IGBT模块监测的方法、装置、设备、介质及产品

20240823

CN202411161753.0

一种智能功率模块的测试电路

20241212

CN202411827417.5

碳化硅MOSFET及其制备方法和用电器

20241219

CN202411878132.4

一种陶瓷基板及其制备方法、芯片封装结构

20241219

CN202411883903.9

一种智能功率模块、散热器、功率模组及电路板

20240202

CN202420266069.8

一种陶瓷基板及芯片封装结构

20241219

CN202423158299.1

一种碳化硅MOSFET器件、制造方法和芯片

20250625

CN202510858871.5

一种功率半导体器件封装结构和芯片

20250725

CN202511031859.3

氮化镓图腾柱电路和氮化镓图腾柱电路的控制评估系统

20250825

CN202511193002.1

一种智能功率模块和一种芯片

20250926

CN202511391006.0

一种超结绝缘栅双极型晶体管、晶体管制作方法和芯片

20251024

CN202511531675.3

半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片

20251024

CN202511533426.8

肖特基二极管器件及其制备方法

20251024

CN202511533427.2

一种SiC MOSFET器件和制造方法

20251024

CN202511533429.1

一种沟槽栅RC-IGBT器件和制造方法

20251120

CN202511712090.1

半导体场效应晶体管器件及其制备方法

20251120

CN202511712109.2

一种二极管电学特性曲线绘制方法及测试设备

20200910

CN201710796675.5

一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

20200930

CN201811466031.0

沟槽型功率器件及其形成方法

20200914

CN201811467502.X

一种绝缘栅双极型晶体管

20190815

CN201822020863.1

一种堆叠结构的智能功率模块及其制造方法

20191029

CN201910477626.4